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FDMS6673BZ  与  BSC060P03NS3E G  区别

型号 FDMS6673BZ BSC060P03NS3E G
唯样编号 A-FDMS6673BZ A-BSC060P03NS3E G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8m Ohms@15.2A,10V 6mΩ
零件号别名 - BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
上升时间 - 139 nS
Qg-栅极电荷 - 61nC
栅极电压Vgs ±25V 25V
封装/外壳 8-PQFN(5x6) -
连续漏极电流Id 15.2A 100A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single Quad Drain Triple Source
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 34 nS
高度 - 1.27mm
栅极电荷 Qg - 61 nC
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 66 nS
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® OptiMOSP3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5915pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
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